近日，珠海鎵未來科技有限公司披露其已完成近億元A+輪融資，由順為資本、G瓴創(chuàng)投、盈富泰克聯(lián)合投資，深啟投資擔(dān)任d家財務(wù)顧問。至今，這家專注于G端第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件研發(fā)、生產(chǎn)、營銷和系統(tǒng)應(yīng)用的綜合解決方案提供商，成立一年半已累計融資過2億。本輪融資將主要用于氮化鎵功率芯片新產(chǎn)品研發(fā)及應(yīng)用方案開發(fā)，此外還將用于供應(yīng)鏈建設(shè)。

據(jù)悉，鎵未來基于成熟技術(shù)平臺的產(chǎn)品已達(dá)到國際水平，多款650V氮化鎵產(chǎn)品實現(xiàn)了量產(chǎn)銷售, 成功進(jìn)入低功率和大功率市場。

目前，鎵未來在核心創(chuàng)始人吳毅鋒博士的帶L下，正在擴展產(chǎn)品線，實現(xiàn)封裝和配件芯片的國產(chǎn)化，并且已開啟了新一代技術(shù)平臺的研發(fā)，未來產(chǎn)品性能將進(jìn)一步提升，成本進(jìn)一步下降。與其他友商不同，鎵未來不但開發(fā)應(yīng)用于手機/筆記本PD快充上的產(chǎn)品，同時直接突破中大功率應(yīng)用場景。

鎵未來同樣由快充L域切入，既可以獲得市場的互動和及時反饋，也能夠獲取足夠基數(shù)的可靠性數(shù)據(jù)。核心創(chuàng)始人、IEEE Fellow吳毅鋒博士在氮化鎵L域有26年的技術(shù)積累，作為成功的連續(xù)創(chuàng)業(yè)者，歷任Cree公司器件科學(xué)家、Transphorm公司GJ副總裁，曾帶L團隊開發(fā)并量產(chǎn)出批600V以上商用GaN功率器件，將可靠性提升至業(yè)內(nèi)。

在吳毅鋒博士的帶L下，去年鎵未來研發(fā)并量產(chǎn)了適用于30W-120W電源適配器的氮化鎵開關(guān)器件產(chǎn)品，主要應(yīng)用于手機/筆記本快充中，在手訂單達(dá)數(shù)百萬顆，客戶由電商、ODM廠商、方案設(shè)計商向品牌客戶拓展。鎵未來今年繼續(xù)推出適用于140W、200W、330W等低功率應(yīng)用場景的G性能氮化鎵功率器件產(chǎn)品及電源整體解決方案。

吳毅鋒博士舉例，氮化鎵技術(shù)可以讓單個5G基站或數(shù)據(jù)中心的單臺服務(wù)器，年節(jié)省用電約200-1,000度。此外，功率轉(zhuǎn)換的體積、重量可以降低20%-50%，變壓器、電容等耗材也相應(yīng)減少。

鎵未來采用J聯(lián)結(jié)構(gòu)型設(shè)計方案，在常開型GaN器件的源端串接一個常關(guān)型的低壓MOSFET，實現(xiàn)增強型器件。通過器件集成的優(yōu)化設(shè)計與先進(jìn)封裝，克服了傳統(tǒng)J聯(lián)結(jié)構(gòu)的缺點，實現(xiàn)了G速而穩(wěn)定的特性。

采用GaN天然的常開特性可以避免制作常關(guān)型GaN器件工藝引入的缺陷，加上先進(jìn)的設(shè)計和成熟制作技術(shù)，鎵未來的產(chǎn)品動態(tài)特性優(yōu)秀，可靠性G。由于其柵J是常規(guī)的Si MOSFET，柵J抗噪聲、抗沖擊能力強，兼容Si基功率開關(guān)電路的柵J驅(qū)動。而且可以封裝成插件形式，適合大功率應(yīng)用場景，應(yīng)用功率范圍可覆蓋30W-4,000W。

市場上主流結(jié)構(gòu)還有直驅(qū)型、以p-GaN柵J為代表的常關(guān)型，技術(shù)路線各有優(yōu)勢，也各有自己需要克服的技術(shù)難點。不約而同，走這兩種技術(shù)路線的品牌商也在嘗試由低功率向中大功率布局，但1,000W以上仍然是一個很難突破的門檻。

鎵未來目前已經(jīng)實現(xiàn)了800W 至 3,600W服務(wù)器電源和算力電源樣機開發(fā)和測試，相應(yīng)的氮化鎵產(chǎn)品已陸續(xù)量產(chǎn)。據(jù)了解，鎵未來是國內(nèi)實現(xiàn)2,000W-4,000WG效電源達(dá)到96%鈦金能效標(biāo)準(zhǔn)的 650V 氮化鎵功率器件量產(chǎn)制造商。